GSID600A120S4B1
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| Numero parte | GSID600A120S4B1 |
| PNEDA Part # | GSID600A120S4B1 |
| Descrizione | SILICON IGBT MODULES |
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.438 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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GSID600A120S4B1 Risorse
| Brand | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GSID600A120S4B1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
GSID600A120S4B1, GSID600A120S4B1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 335,82 KB)
  
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GSID600A120S4B1 Specifiche
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Serie | Amp+™ |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 1130A |
| Potenza - Max | 3060W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 51nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 55A Potenza - Max 205W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D1 Pacchetto dispositivo fornitore D1 |
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