GPAS1006 MNG
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| Numero parte | GPAS1006 MNG |
| PNEDA Part # | GPAS1006-MNG |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB |
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 5 - lug 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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GPAS1006 MNG Risorse
| Brand | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GPAS1006 MNG |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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GPAS1006 MNG Specifiche
| Produttore | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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