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GP10GEHE3/73

GP10GEHE3/73

Solo per riferimento

Numero parte GP10GEHE3/73
PNEDA Part # GP10GEHE3-73
Descrizione DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.496
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 28 - lug 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GP10GEHE3/73 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGP10GEHE3/73
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
GP10GEHE3/73, GP10GEHE3/73 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 72,5 KB)
PDFGP10Y-M3/54 Datasheet Copertura
GP10Y-M3/54 Datasheet Pagina 2 GP10Y-M3/54 Datasheet Pagina 3 GP10Y-M3/54 Datasheet Pagina 4 GP10Y-M3/54 Datasheet Pagina 5

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GP10GEHE3/73 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieSUPERECTIFIER®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)3µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaDO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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SDT15150P5-7D

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

860mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerDI™ 5

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI™ 5

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SK210AHR3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

850mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

UPS170/TR13

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

JANTX1N6857-1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/444

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

350mV @ 1mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150nA @ 16V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-35

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

MBRH15020RL

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 150A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3mA @ 20V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-67

Pacchetto dispositivo fornitore

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