GP10BE-M3/54
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| Numero parte | GP10BE-M3/54 |
| PNEDA Part # | GP10BE-M3-54 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.938 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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GP10BE-M3/54 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GP10BE-M3/54 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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GP10BE-M3/54 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 3A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 15µA @ 600V Capacità @ Vr, F 60pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/590 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 880V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 880V Capacità @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia E, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 5A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 90µA @ 650V Capacità @ Vr, F 160pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F 170pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
