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GMM3X180-004X2-SMDSAM

GMM3X180-004X2-SMDSAM

Solo per riferimento

Numero parte GMM3X180-004X2-SMDSAM
PNEDA Part # GMM3X180-004X2-SMDSAM
Descrizione MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.400
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GMM3X180-004X2-SMDSAM Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGMM3X180-004X2-SMDSAM
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
GMM3X180-004X2-SMDSAM, GMM3X180-004X2-SMDSAM Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 471,49 KB)
PDFGMM3X180-004X2-SMDSAM Datasheet Copertura
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GMM3X180-004X2-SMDSAM Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia24-SMD, Gull Wing
Pacchetto dispositivo fornitore24-SMD

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BSS138DW-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

IRF7343QTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

FW4604-TL-2W

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 10V

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Microsemi

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

295A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 40mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

644nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 1000V

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1250W

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