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GD25LQ40COIGR

GD25LQ40COIGR

Solo per riferimento

Numero parte GD25LQ40COIGR
PNEDA Part # GD25LQ40COIGR
Descrizione NOR FLASH
Produttore GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GD25LQ40COIGR Risorse

Brand GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGD25LQ40COIGR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
GD25LQ40COIGR, GD25LQ40COIGR Datasheet (Totale pagine: 28, Dimensioni: 4.295,75 KB)
PDFGD25VE32CVIGR Datasheet Copertura
GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 2 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 3 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 4 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 5 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 6 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 7 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 8 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 9 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 10 GD25VE32CVIGR Datasheet Pagina 11

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  • GD25LQ40COIGR Price
  • GD25LQ40COIGR Distributor

GD25LQ40COIGR Specifiche

ProduttoreGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50µs, 2.4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 2.1V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

AT49BV160S-70CU

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-VBGA, CSPBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-CBGA (9x10)

S29GL512S12FHIV20

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-Fortified BGA (13x11)

CY7C1370D-200AXCT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

18Mb (512K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

S29GL512S11FHIV20

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

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