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GBU8K-5410E3/51

GBU8K-5410E3/51

Solo per riferimento

Numero parte GBU8K-5410E3/51
PNEDA Part # GBU8K-5410E3-51
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBU
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.820
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBU8K-5410E3/51 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBU8K-5410E3/51
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte

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GBU8K-5410E3/51 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)3.9A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 8A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 800V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBU
Pacchetto dispositivo fornitoreGBU

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Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 30A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2mA @ 1200V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

GBPC3510W T0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-Square, GBPC-W

Pacchetto dispositivo fornitore

GBPC-W

BU1510-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 7.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, BU

Pacchetto dispositivo fornitore

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GeneSiC Semiconductor

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 25A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-Square, GBPC-W

Pacchetto dispositivo fornitore

GBPC-W

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Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 17.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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