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GBU8K-3M3/51

GBU8K-3M3/51

Solo per riferimento

Numero parte GBU8K-3M3/51
PNEDA Part # GBU8K-3M3-51
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBU
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.464
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBU8K-3M3/51 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBU8K-3M3/51
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte

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GBU8K-3M3/51 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)3.9A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 8A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 800V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBU
Pacchetto dispositivo fornitoreGBU

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.9A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 8A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

MSDM75-12

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.2kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 150A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 1200V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

M2-1

GBJ1506

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 7.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

GBJ

VSIB15A80-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 7.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GSIB-5S

Pacchetto dispositivo fornitore

GSIB-5S

PB3006-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

isoCink+™

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 15A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-ESIP, PB

Pacchetto dispositivo fornitore

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