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GBU8J-M3/51

GBU8J-M3/51

Solo per riferimento

Numero parte GBU8J-M3/51
PNEDA Part # GBU8J-M3-51
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.274
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBU8J-M3/51 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBU8J-M3/51
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
GBU8J-M3/51, GBU8J-M3/51 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 86,17 KB)
PDFGBU8K-M3/45 Datasheet Copertura
GBU8K-M3/45 Datasheet Pagina 2 GBU8K-M3/45 Datasheet Pagina 3 GBU8K-M3/45 Datasheet Pagina 4

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GBU8J-M3/51 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 8A
Corrente - Perdita inversa @ Vr5µA @ 600V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBU
Pacchetto dispositivo fornitoreGBU

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Three Phase

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1.6kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

35A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

D-63

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Produttore

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Serie

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Tipo di diodo

Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.6kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 300A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 1600V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

M3

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

DBLS

GBPC5001W

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

50A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 25A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-Square, GBPC-W

Pacchetto dispositivo fornitore

GBPC-W

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tecnologia

-

Tensione - Picco inverso (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

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