GBPC2506W
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| Numero parte | GBPC2506W | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | GBPC2506W | ||||||||||||||||||
| Descrizione | BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W | ||||||||||||||||||
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 2.134 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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GBPC2506W Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GBPC2506W |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori a ponte |
| Datasheet |
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GBPC2506W Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 25A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 4-Square, GBPC-W |
| Pacchetto dispositivo fornitore | GBPC-W |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 1kV Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 2A Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 1000V Temperatura di esercizio -65°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-Circular, WOM Pacchetto dispositivo fornitore WOM |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 800V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 750mA Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 800V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-SIP, GBL Pacchetto dispositivo fornitore GBL |
