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GBJ2508-05-G

GBJ2508-05-G

Solo per riferimento

Numero parte GBJ2508-05-G
PNEDA Part # GBJ2508-05-G
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ
Produttore Comchip Technology
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.128
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBJ2508-05-G Risorse

Brand Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBJ2508-05-G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte

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GBJ2508-05-G Specifiche

ProduttoreComchip Technology
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)25A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1V @ 12.5A
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 800V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, GBJ
Pacchetto dispositivo fornitoreGBJ

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Produttore

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Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.6kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

38A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.36V @ 55A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 1600V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

QC Terminal

Pacchetto / Custodia

4-Square, FO-A

Pacchetto dispositivo fornitore

FO-A

VSIB2580-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 12.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GSIB-5S

Pacchetto dispositivo fornitore

GSIB-5S

RDBF256-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

DBF

GBU8M

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

APTDF200H120G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.2kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

235A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3V @ 200A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 1200V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

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WSL1206R0500FEA

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