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GBJ2008TB

GBJ2008TB

Solo per riferimento

Numero parte GBJ2008TB
PNEDA Part # GBJ2008TB
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
Produttore SMC Diode Solutions
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.428
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GBJ2008TB Risorse

Brand SMC Diode Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGBJ2008TB
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
GBJ2008TB, GBJ2008TB Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 336,61 KB)
PDFGBJ2008TB Datasheet Copertura
GBJ2008TB Datasheet Pagina 2 GBJ2008TB Datasheet Pagina 3 GBJ2008TB Datasheet Pagina 4 GBJ2008TB Datasheet Pagina 5

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GBJ2008TB Specifiche

ProduttoreSMC Diode Solutions
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 20A
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 800V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-ESIP
Pacchetto dispositivo fornitoreGBJ

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1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

4-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

GBJ1501

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 7.5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 100V

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBJ

Pacchetto dispositivo fornitore

GBJ

110MT160KB

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.6kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

110A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 150A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 1600V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

MTK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Tipo di diodo

Three Phase

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Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

70A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

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