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FZ400R65KE3NOSA1

FZ400R65KE3NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FZ400R65KE3NOSA1
PNEDA Part # FZ400R65KE3NOSA1
Descrizione MOD IGBT MED PWR A-IHV130-6
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.418
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 12 - giu 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FZ400R65KE3NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFZ400R65KE3NOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FZ400R65KE3NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6500V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)800A
Potenza - Max8350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 400A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce110nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-50°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Three Phase Inverter with Brake

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Potenza - Max

100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 16A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1.5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

FF800R17KP4B2NOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGF330SK60D3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

460A

Potenza - Max

1400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

750µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

BSM30GP60BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

180W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 30A

Corrente - Taglio collettore (Max)

300nA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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