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FZ1200R33KL2CNOSA1

FZ1200R33KL2CNOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FZ1200R33KL2CNOSA1
PNEDA Part # FZ1200R33KL2CNOSA1
Descrizione IGBT MODULE 3300V IHV 190MM
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.768
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 9 - giu 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FZ1200R33KL2CNOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFZ1200R33KL2CNOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FZ1200R33KL2CNOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3300V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2300A
Potenza - Max14500W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.65V @ 15V, 1200A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce145nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Potenza - Max

105W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APT85GR120JD60

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

116A

Potenza - Max

543W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 85A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1.1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

VII50-12P1

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

49A

Potenza - Max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1.1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ECO-PAC2

Pacchetto dispositivo fornitore

ECO-PAC2

VS-25MT060WFAPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

69A

Potenza - Max

195W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.25V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.42nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

16-MTP Module

Pacchetto dispositivo fornitore

MTP

FS200R12KT4RPBPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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