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FZ1200R17HP4B2BOSA2

FZ1200R17HP4B2BOSA2

Solo per riferimento

Numero parte FZ1200R17HP4B2BOSA2
PNEDA Part # FZ1200R17HP4B2BOSA2
Descrizione MODULE IGBT IHMB130-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.532
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FZ1200R17HP4B2BOSA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFZ1200R17HP4B2BOSA2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FZ1200R17HP4B2BOSA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1200A
Potenza - Max7800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 1200A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce97nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Triple, Dual - Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Potenza - Max

517W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

FS100R07N2E4B11BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

125A

Potenza - Max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FP50R12KT4B11BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Potenza - Max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

F4100R12KS4BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGLQ300SK120G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Buck Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500A

Potenza - Max

1500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

17.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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