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FZ1200R17HP4B2BOSA2

FZ1200R17HP4B2BOSA2

Solo per riferimento

Numero parte FZ1200R17HP4B2BOSA2
PNEDA Part # FZ1200R17HP4B2BOSA2
Descrizione MODULE IGBT IHMB130-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.532
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 1 - giu 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FZ1200R17HP4B2BOSA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFZ1200R17HP4B2BOSA2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FZ1200R17HP4B2BOSA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1200A
Potenza - Max7800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.25V @ 15V, 1200A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce97nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Triple, Dual - Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Potenza - Max

517W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6-P

VS-GT50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

405W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.24nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

MG1275W-XN2MM

Littelfuse

Produttore

Littelfuse Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

105A

Potenza - Max

368W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

CPV363M4F

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Potenza - Max

36W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.63V @ 15V, 16A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.1nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Pacchetto dispositivo fornitore

IMS-2

F4100R12KS4BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.75V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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