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FS10R12VT3BOMA1

FS10R12VT3BOMA1

Solo per riferimento

Numero parte FS10R12VT3BOMA1
PNEDA Part # FS10R12VT3BOMA1
Descrizione IGBT MODULE VCES 600V 10A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.898
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FS10R12VT3BOMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFS10R12VT3BOMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
FS10R12VT3BOMA1, FS10R12VT3BOMA1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 392,74 KB)
PDFFS10R12VT3BOMA1 Datasheet Copertura
FS10R12VT3BOMA1 Datasheet Pagina 2 FS10R12VT3BOMA1 Datasheet Pagina 3 FS10R12VT3BOMA1 Datasheet Pagina 4 FS10R12VT3BOMA1 Datasheet Pagina 5 FS10R12VT3BOMA1 Datasheet Pagina 6 FS10R12VT3BOMA1 Datasheet Pagina 7

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FS10R12VT3BOMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)16A
Potenza - Max64W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 10A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce700pF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Potenza - Max

176W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

BSM50GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

115A

Potenza - Max

460W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF180DU60TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Dual, Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

Corrente - Taglio collettore (Max)

300µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

CM225DX-24S1

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

225A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 225A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

20nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT150A120T3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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