FS10R12VT3BOMA1
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| Numero parte | FS10R12VT3BOMA1 |
| PNEDA Part # | FS10R12VT3BOMA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 600V 10A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.898 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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FS10R12VT3BOMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FS10R12VT3BOMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
FS10R12VT3BOMA1, FS10R12VT3BOMA1 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 392,74 KB)
  
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FS10R12VT3BOMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 16A |
| Potenza - Max | 64W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 10A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 700pF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 220A Potenza - Max 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 10.7nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP3 Pacchetto dispositivo fornitore SP3 |
