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FS100R17KE3BOSA1

FS100R17KE3BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FS100R17KE3BOSA1
PNEDA Part # FS100R17KE3BOSA1
Descrizione IGBT MODULE VCES 600V 100A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.334
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FS100R17KE3BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFS100R17KE3BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
FS100R17KE3BOSA1, FS100R17KE3BOSA1 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 457,37 KB)
PDFFS100R17KE3BOSA1 Datasheet Copertura
FS100R17KE3BOSA1 Datasheet Pagina 2 FS100R17KE3BOSA1 Datasheet Pagina 3 FS100R17KE3BOSA1 Datasheet Pagina 4 FS100R17KE3BOSA1 Datasheet Pagina 5 FS100R17KE3BOSA1 Datasheet Pagina 6 FS100R17KE3BOSA1 Datasheet Pagina 7 FS100R17KE3BOSA1 Datasheet Pagina 8

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FS100R17KE3BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)145A
Potenza - Max555W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 100A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce9nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.58nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

Double INT-A-PAK

FF150R12KE3B8BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGT200A120D3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

300A

Potenza - Max

1040W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

6mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

VS-GB75TP120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

105A

Potenza - Max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 75A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

2mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.3nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

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Produttore

Infineon Technologies

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Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single Switch

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2735A

Potenza - Max

11000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 1800A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

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