FQT7N10LTF
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Numero parte | FQT7N10LTF |
PNEDA Part # | FQT7N10LTF |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 835.392 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQT7N10LTF Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FQT7N10LTF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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FQT7N10LTF Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 850mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
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