Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

FQT4N20TF

FQT4N20TF

Solo per riferimento

Numero parte FQT4N20TF
PNEDA Part # FQT4N20TF
Descrizione MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.910
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FQT4N20TF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFQT4N20TF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FQT4N20TF, FQT4N20TF Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 629,02 KB)
PDFFQT4N20TF Datasheet Copertura
FQT4N20TF Datasheet Pagina 2 FQT4N20TF Datasheet Pagina 3 FQT4N20TF Datasheet Pagina 4 FQT4N20TF Datasheet Pagina 5 FQT4N20TF Datasheet Pagina 6 FQT4N20TF Datasheet Pagina 7 FQT4N20TF Datasheet Pagina 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • FQT4N20TF Datasheet
  • where to find FQT4N20TF
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor FQT4N20TF
  • FQT4N20TF PDF Datasheet
  • FQT4N20TF Stock

  • FQT4N20TF Pinout
  • Datasheet FQT4N20TF
  • FQT4N20TF Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • FQT4N20TF Price
  • FQT4N20TF Distributor

FQT4N20TF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C850mA (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 425mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.2W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223-4
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

DMP3018SFV-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 35A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2147pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8 (Type UX)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

IRFL024N

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

NTF3055-100T1G-IRH1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

455pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223 (TO-261)

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

FQP30N06

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

945pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

79W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

HUF76407P3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

92mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Venduto di recente

ESD3V3D5B-TP

ESD3V3D5B-TP

Micro Commercial Co

TVS DIODE 3.3V 12V SOD523

PD70200ILD-TR

PD70200ILD-TR

Microsemi

IC POE DRIVER PD PSE 12DFN

AQY221R2VY

AQY221R2VY

Panasonic Electric Works

SSR RELAY SPST-NO 250MA 0-40V

DF10S-T

DF10S-T

Diodes Incorporated

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DF-S

SRU8043-100Y

SRU8043-100Y

Bourns

FIXED IND 10UH 3.5A 30 MOHM SMD

TSV992IQ2T

TSV992IQ2T

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DFN

PIC18F6527-I/PT

PIC18F6527-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 48KB FLASH 64TQFP

B0520LW-7-F

B0520LW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123

0452007.MRL

0452007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD

BLM18KG121TN1D

BLM18KG121TN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

MMBD7000-7-F

MMBD7000-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3

BAV70LT1G

BAV70LT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23