FQPF9N25CYDTU
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| Numero parte | FQPF9N25CYDTU |
| PNEDA Part # | FQPF9N25CYDTU |
| Descrizione | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.794 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQPF9N25CYDTU Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FQPF9N25CYDTU |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FQPF9N25CYDTU, FQPF9N25CYDTU Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 545,86 KB)
  
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FQPF9N25CYDTU Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.8A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
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