FQPF9N25CYDTU
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Numero parte | FQPF9N25CYDTU |
PNEDA Part # | FQPF9N25CYDTU |
Descrizione | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.794 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQPF9N25CYDTU Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FQPF9N25CYDTU |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
FQPF9N25CYDTU, FQPF9N25CYDTU Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 545,86 KB)
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FQPF9N25CYDTU Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.8A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
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