FQI50N06LTU
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| Numero parte | FQI50N06LTU |
| PNEDA Part # | FQI50N06LTU |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.456 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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FQI50N06LTU Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FQI50N06LTU |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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FQI50N06LTU Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | QFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 52.4A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 26.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 121W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
| Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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Produttore Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 68W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta), 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (3x3) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
