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FQD5N30TM

FQD5N30TM

Solo per riferimento

Numero parte FQD5N30TM
PNEDA Part # FQD5N30TM
Descrizione MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.262
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Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FQD5N30TM Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFQD5N30TM
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FQD5N30TM, FQD5N30TM Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 757,79 KB)
PDFFQD5N30TF Datasheet Copertura
FQD5N30TF Datasheet Pagina 2 FQD5N30TF Datasheet Pagina 3 FQD5N30TF Datasheet Pagina 4 FQD5N30TF Datasheet Pagina 5 FQD5N30TF Datasheet Pagina 6 FQD5N30TF Datasheet Pagina 7 FQD5N30TF Datasheet Pagina 8 FQD5N30TF Datasheet Pagina 9

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FQD5N30TM Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieQFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.4A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds430pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.7W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AO6401AL

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

STD4NK100Z

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

601pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF6637TR1PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 59A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

DirectFET™ Isometric MP

BSS100

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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