FQB630TM
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Numero parte | FQB630TM |
PNEDA Part # | FQB630TM |
Descrizione | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 4.500 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FQB630TM Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FQB630TM |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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FQB630TM Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 78W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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