FP50R12KT4BOSA1
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| Numero parte | FP50R12KT4BOSA1 |
| PNEDA Part # | FP50R12KT4BOSA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 600V 50A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.096 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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FP50R12KT4BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FP50R12KT4BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
FP50R12KT4BOSA1, FP50R12KT4BOSA1 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 639,58 KB)
  
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FP50R12KT4BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | Three Phase Inverter |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50A |
| Potenza - Max | 280W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 50A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 220A Potenza - Max 690W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max) 50µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 10.7nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP2 Pacchetto dispositivo fornitore SP2 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1700V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 280A Potenza - Max 780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max) 4mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 13nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia D1 Pacchetto dispositivo fornitore D1 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 700A Potenza - Max 2300W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 600A Corrente - Taglio collettore (Max) 750µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 49nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP6 Pacchetto dispositivo fornitore SP6 |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT NPT Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 220A Potenza - Max 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 180A Corrente - Taglio collettore (Max) 300µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 8.6nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP4 Pacchetto dispositivo fornitore SP4 |
Produttore Powerex Inc. Serie IGBTMOD™ Tipo IGBT - Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 400A Potenza - Max 1340W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max) 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 50nF @ 10V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
