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FGA40T65SHDF

FGA40T65SHDF

Solo per riferimento

Numero parte FGA40T65SHDF
PNEDA Part # FGA40T65SHDF
Descrizione IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.420
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGA40T65SHDF Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGA40T65SHDF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGA40T65SHDF, FGA40T65SHDF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 704,82 KB)
PDFFGA40T65SHDF Datasheet Copertura
FGA40T65SHDF Datasheet Pagina 2 FGA40T65SHDF Datasheet Pagina 3 FGA40T65SHDF Datasheet Pagina 4 FGA40T65SHDF Datasheet Pagina 5 FGA40T65SHDF Datasheet Pagina 6 FGA40T65SHDF Datasheet Pagina 7 FGA40T65SHDF Datasheet Pagina 8 FGA40T65SHDF Datasheet Pagina 9 FGA40T65SHDF Datasheet Pagina 10

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FGA40T65SHDF Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.81V @ 15V, 40A
Potenza - Max268W
Switching Energy1.22mJ (on), 440µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge68nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C18ns/64ns
Condizione di test400V, 40A, 6Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)101ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3PN

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FGA25S125P-SN00337

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1250V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 25A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

1.09mJ (on), 580µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

204nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/502ns

Condizione di test

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

NGTD17T65F2SWK

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

RGTH00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

85A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Potenza - Max

277W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

94nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

39ns/143ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

54ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

SKB15N60HSATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

27A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 15A

Potenza - Max

138W

Switching Energy

530µJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/209ns

Condizione di test

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

111ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3

APT70GR65B2DU40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

134A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

Potenza - Max

595W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

305nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/170ns

Condizione di test

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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