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FGA15N120ANTDTU

FGA15N120ANTDTU

Solo per riferimento

Numero parte FGA15N120ANTDTU
PNEDA Part # FGA15N120ANTDTU
Descrizione IGBT 1200V 30A 186W TO3P
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.132
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FGA15N120ANTDTU Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFGA15N120ANTDTU
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
FGA15N120ANTDTU, FGA15N120ANTDTU Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 20.226,43 KB)
PDFFGA15N120ANTDTU Datasheet Copertura
FGA15N120ANTDTU Datasheet Pagina 2 FGA15N120ANTDTU Datasheet Pagina 3 FGA15N120ANTDTU Datasheet Pagina 4 FGA15N120ANTDTU Datasheet Pagina 5 FGA15N120ANTDTU Datasheet Pagina 6 FGA15N120ANTDTU Datasheet Pagina 7 FGA15N120ANTDTU Datasheet Pagina 8 FGA15N120ANTDTU Datasheet Pagina 9 FGA15N120ANTDTU Datasheet Pagina 10

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FGA15N120ANTDTU Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTNPT and Trench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 15A
Potenza - Max186W
Switching Energy3mJ (on), 600µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge120nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C15ns/160ns
Condizione di test600V, 15A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)330ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P

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RGTV00TS65GC11

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

95A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Potenza - Max

276W

Switching Energy

1.17mJ (on), 940µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

104nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

41ns/142ns

Condizione di test

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

STGP14N60D

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Potenza - Max

95W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

37ns

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

IRG7CH50K10EF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

170nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/280ns

Condizione di test

600V, 35A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

STGD20N45LZAG

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

450V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

26nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

1.1µs/4.6µs

Condizione di test

300V, 10A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

APT11GP60BDQBG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 11A

Potenza - Max

187W

Switching Energy

46µJ (on), 90µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

40nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

7ns/29ns

Condizione di test

400V, 11A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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