FFSH50120A
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| Numero parte | FFSH50120A |
| PNEDA Part # | FFSH50120A |
| Descrizione | 1200V 50A SIC SBD |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 23.832 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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FFSH50120A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FFSH50120A |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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FFSH50120A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 77A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 2560pF @ 1V, 100kHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 900mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
