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FF800R17KE3B2NOSA1

FF800R17KE3B2NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FF800R17KE3B2NOSA1
PNEDA Part # FF800R17KE3B2NOSA1
Descrizione IGBT MODULE 1700V 800A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.796
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FF800R17KE3B2NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFF800R17KE3B2NOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
FF800R17KE3B2NOSA1, FF800R17KE3B2NOSA1 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 413 KB)
PDFFF800R17KE3B2NOSA1 Datasheet Copertura
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FF800R17KE3B2NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie*
Tipo IGBT-
Configurazione-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
Input-
Termistore NTC-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8.8A

Potenza - Max

23W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.66V @ 15V, 8.8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.34nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Pacchetto dispositivo fornitore

IMS-2

APT40GP90JDQ2

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

64A

Potenza - Max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ISOTOP

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

F1225R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Potenza - Max

160W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

1.45nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

258A

Potenza - Max

893W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227

FF1000R17IE4S4BOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

PrimePACK™3

Tipo IGBT

-

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1390A

Potenza - Max

6250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

81pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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