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FF75R12YT3BOMA1

FF75R12YT3BOMA1

Solo per riferimento

Numero parte FF75R12YT3BOMA1
PNEDA Part # FF75R12YT3BOMA1
Descrizione IGBT MODULE VCES 1200V 75A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.822
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FF75R12YT3BOMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFF75R12YT3BOMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
FF75R12YT3BOMA1, FF75R12YT3BOMA1 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 487,9 KB)
PDFFF75R12YT3BOMA1 Datasheet Copertura
FF75R12YT3BOMA1 Datasheet Pagina 2 FF75R12YT3BOMA1 Datasheet Pagina 3 FF75R12YT3BOMA1 Datasheet Pagina 4 FF75R12YT3BOMA1 Datasheet Pagina 5 FF75R12YT3BOMA1 Datasheet Pagina 6 FF75R12YT3BOMA1 Datasheet Pagina 7 FF75R12YT3BOMA1 Datasheet Pagina 8

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FF75R12YT3BOMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Configurazione2 Independent
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100A
Potenza - Max345W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 75A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce5nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Dual, Common Source

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

APTGF90A60D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

VIO50-06P1

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

42.5A

Potenza - Max

130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

600µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

16nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ECO-PAC2

Pacchetto dispositivo fornitore

ECO-PAC2

VS-GB300LH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500A

Potenza - Max

1645W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 300A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

21.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

Double INT-A-PAK

APTGT150DA120D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

4mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

10.8nF @ 25V

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Termistore NTC

No

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