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FF600R12ME4BOSA1

FF600R12ME4BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FF600R12ME4BOSA1
PNEDA Part # FF600R12ME4BOSA1
Descrizione IGBT MODULE VCES 600V 600A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.154
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FF600R12ME4BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFF600R12ME4BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
FF600R12ME4BOSA1, FF600R12ME4BOSA1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 600,17 KB)
PDFFF600R12ME4BOSA1 Datasheet Copertura
FF600R12ME4BOSA1 Datasheet Pagina 2 FF600R12ME4BOSA1 Datasheet Pagina 3 FF600R12ME4BOSA1 Datasheet Pagina 4 FF600R12ME4BOSA1 Datasheet Pagina 5 FF600R12ME4BOSA1 Datasheet Pagina 6 FF600R12ME4BOSA1 Datasheet Pagina 7 FF600R12ME4BOSA1 Datasheet Pagina 8 FF600R12ME4BOSA1 Datasheet Pagina 9

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FF600R12ME4BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Configurazione2 Independent
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max4050W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 600A
Corrente - Taglio collettore (Max)3mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce37nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

530A

Potenza - Max

1470W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

8mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single Chopper

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

450A

Potenza - Max

1100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

MWI50-06A7

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

72A

Potenza - Max

225W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

600µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

APTGT150DA170D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

280A

Potenza - Max

780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

4mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

APTGLQ200H65G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

270A

Potenza - Max

680W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

75µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

12.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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