FF225R17ME4B11BOSA1
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| Numero parte | FF225R17ME4B11BOSA1 |
| PNEDA Part # | FF225R17ME4B11BOSA1 |
| Descrizione | IGBT MODULE VCES 1200V 225A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.176 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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FF225R17ME4B11BOSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FF225R17ME4B11BOSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
FF225R17ME4B11BOSA1, FF225R17ME4B11BOSA1 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 684,68 KB)
  
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FF225R17ME4B11BOSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Configurazione | 2 Independent |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1700V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 340A |
| Potenza - Max | 1500W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 225A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 3mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 18.5nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Three Level Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 50A Potenza - Max 90W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 1.6nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
