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FF225R12ME4PB11BPSA1

FF225R12ME4PB11BPSA1

Solo per riferimento

Numero parte FF225R12ME4PB11BPSA1
PNEDA Part # FF225R12ME4PB11BPSA1
Descrizione MOD IGBT MED PWR ECONOD-4
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.164
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FF225R12ME4PB11BPSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFF225R12ME4PB11BPSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FF225R12ME4PB11BPSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieEconoDUAL™ 3
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)450A
Potenza - Max20mW
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 225A
Corrente - Taglio collettore (Max)3mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce13nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1400A

Potenza - Max

3900W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 1400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

220nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF90A60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Potenza - Max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

VS-GT100TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Potenza - Max

417W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

7.71nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

APTGF100DA120T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Potenza - Max

735W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

VS-GB400AH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

550A

Potenza - Max

2841W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

33.7nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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