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FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FF200R12KT4HOSA1
PNEDA Part # FF200R12KT4HOSA1
Descrizione IGBT MODULE 1200V 200A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario
1 ---------- $1.560,2337
50 ---------- $1.487,0978
100 ---------- $1.413,9618
200 ---------- $1.340,8259
400 ---------- $1.279,8792
500 ---------- $1.218,9326
Disponibile 4.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FF200R12KT4HOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFF200R12KT4HOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FF200R12KT4HOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieC
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)320A
Potenza - Max1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce14nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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APTGF50H60T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

DF1000R17IE4BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

6250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 1000A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

81nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT100DA170TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

560W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

APT40GP90J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

68A

Potenza - Max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

VS-GP100TS60SFPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

PT, Trench

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

337A

Potenza - Max

781W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.34V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

150µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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