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FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1

Solo per riferimento

Numero parte FF200R12KT4HOSA1
PNEDA Part # FF200R12KT4HOSA1
Descrizione IGBT MODULE 1200V 200A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario
1 ---------- $1.560,2337
50 ---------- $1.487,0978
100 ---------- $1.413,9618
200 ---------- $1.340,8259
400 ---------- $1.279,8792
500 ---------- $1.218,9326
Disponibile 4.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FF200R12KT4HOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFF200R12KT4HOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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FF200R12KT4HOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieC
Tipo IGBTTrench Field Stop
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)320A
Potenza - Max1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 200A
Corrente - Taglio collettore (Max)5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce14nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Potenza - Max

350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

700µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E2

Pacchetto dispositivo fornitore

E2

APT40GP90J

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

68A

Potenza - Max

284W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

IRG5U75HH06E

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

330W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

POWIR ECO 2™ Module

Pacchetto dispositivo fornitore

POWIR ECO 2™

F3L100R07W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

117A

Potenza - Max

300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FS150R07N3E4BOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

430W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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