FESB16HTHE3/81
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| Numero parte | FESB16HTHE3/81 |
| PNEDA Part # | FESB16HTHE3-81 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 500V 16A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.030 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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FESB16HTHE3/81 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FESB16HTHE3/81 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
FESB16HTHE3/81, FESB16HTHE3/81 Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 141,41 KB)
  
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FESB16HTHE3/81 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 500V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 16A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 16A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 500V |
| Capacità @ Vr, F | 145pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore SMC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 780ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F 5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia MicroSMP Pacchetto dispositivo fornitore MicroSMP (DO-219AD) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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