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FDZ3N513ZT

FDZ3N513ZT

Solo per riferimento

Numero parte FDZ3N513ZT
PNEDA Part # FDZ3N513ZT
Descrizione MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.366
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDZ3N513ZT Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDZ3N513ZT
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDZ3N513ZT, FDZ3N513ZT Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 445,99 KB)
PDFFDZ3N513ZT Datasheet Copertura
FDZ3N513ZT Datasheet Pagina 2 FDZ3N513ZT Datasheet Pagina 3 FDZ3N513ZT Datasheet Pagina 4 FDZ3N513ZT Datasheet Pagina 5 FDZ3N513ZT Datasheet Pagina 6 FDZ3N513ZT Datasheet Pagina 7 FDZ3N513ZT Datasheet Pagina 8 FDZ3N513ZT Datasheet Pagina 9

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FDZ3N513ZT Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.1A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 4.5V
Vgs (massimo)+5.5V, -0.3V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds85pF @ 15V
Funzione FETSchottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore4-WLCSP (0.96x0.96)
Pacchetto / Custodia4-UFBGA, WLCSP

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Produttore

Vishay Siliconix

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

800nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

39000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDMS86101E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.4A (Ta), 60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IRF7467TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2530pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Temperatura di esercizio

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