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FDMS86300DC

FDMS86300DC

Solo per riferimento

Numero parte FDMS86300DC
PNEDA Part # FDMS86300DC
Descrizione MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 110.484
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Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS86300DC Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS86300DC
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMS86300DC, FDMS86300DC Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 394,85 KB)
PDFFDMS86300DC Datasheet Copertura
FDMS86300DC Datasheet Pagina 2 FDMS86300DC Datasheet Pagina 3 FDMS86300DC Datasheet Pagina 4 FDMS86300DC Datasheet Pagina 5 FDMS86300DC Datasheet Pagina 6 FDMS86300DC Datasheet Pagina 7 FDMS86300DC Datasheet Pagina 8

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FDMS86300DC Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieDual Cool™, PowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24A (Ta), 76A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs101nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7005pF @ 40V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDual Cool™56
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

FDAF62N28

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

280V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4630pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

165W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

IRFS7537TRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

173A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7020pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMT3006LFVQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1155pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerDI3333-8 (Type UX)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

NTD6600NT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

146mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

3LN01M-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.58nC @ 10V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70/MCPH3

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Venduto di recente

FDS6675

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ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

MCP1725T-3302E/MC

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Microchip Technology

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8DFN

CRM2512-JW-103ELF

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Bourns

RES SMD 10K OHM 5% 2W 2512

SP0506BAATG

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Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V 8MSOP

ADUM7641CRQZ

ADUM7641CRQZ

Analog Devices

DGTL ISO 1KV 6CH GEN PURP 20QSOP

SMBJ58A

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Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

MC9S08DN16ACLC

MC9S08DN16ACLC

NXP

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32LQFP

LTC1726IS8-2.5#PBF

LTC1726IS8-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRPL SPLY MONITOR 2.5V 8-SOIC

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

3403.0166.11

3403.0166.11

Schurter

FUSE BOARD MNT 1A 250VAC 125VDC

NJM2121M

NJM2121M

NJR Corporation/NJRC

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DMP

MC33161DMR2G

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IC MONITOR VOLTAGE UNIV 8MICRO