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FDMS8350LET40

FDMS8350LET40

Solo per riferimento

Numero parte FDMS8350LET40
PNEDA Part # FDMS8350LET40
Descrizione PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.362
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS8350LET40 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS8350LET40
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMS8350LET40, FDMS8350LET40 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 320,8 KB)
PDFFDMS8350LET40 Datasheet Copertura
FDMS8350LET40 Datasheet Pagina 2 FDMS8350LET40 Datasheet Pagina 3 FDMS8350LET40 Datasheet Pagina 4 FDMS8350LET40 Datasheet Pagina 5 FDMS8350LET40 Datasheet Pagina 6 FDMS8350LET40 Datasheet Pagina 7 FDMS8350LET40 Datasheet Pagina 8

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FDMS8350LET40 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C49A (Ta), 300A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.85mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs219nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds16590pF @ 20V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.33W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePower56
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 210µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220 Full Pack

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IXFP7N80P

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.44Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRFI520N

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB Full-Pak

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

BUK92150-55A,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

338pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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