FDMS3669S
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| Numero parte | FDMS3669S |
| PNEDA Part # | FDMS3669S |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.372 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDMS3669S Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMS3669S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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FDMS3669S Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A, 18A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1605pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
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