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FDMS3664S

FDMS3664S

Solo per riferimento

Numero parte FDMS3664S
PNEDA Part # FDMS3664S
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 13A/25A 8-PQFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 24.846
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS3664S Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS3664S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDMS3664S, FDMS3664S Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 673,89 KB)
PDFFDMS3664S Datasheet Copertura
FDMS3664S Datasheet Pagina 2 FDMS3664S Datasheet Pagina 3 FDMS3664S Datasheet Pagina 4 FDMS3664S Datasheet Pagina 5 FDMS3664S Datasheet Pagina 6 FDMS3664S Datasheet Pagina 7 FDMS3664S Datasheet Pagina 8 FDMS3664S Datasheet Pagina 9 FDMS3664S Datasheet Pagina 10 FDMS3664S Datasheet Pagina 11

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FDMS3664S Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A, 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1765pF @ 15V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePower56

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.8nC @ 30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 15V

Potenza - Max

1.24W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

SIL2623-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 25V

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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