FDMS1D4N03S
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| Numero parte | FDMS1D4N03S |
| PNEDA Part # | FDMS1D4N03S |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 23.760 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDMS1D4N03S Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMS1D4N03S |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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FDMS1D4N03S Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench®, SyncFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 211A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.09mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10250pF @ 15V |
| Funzione FET | Schottky Diode (Body) |
| Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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