FDMS003N08C
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| Numero parte | FDMS003N08C |
| PNEDA Part # | FDMS003N08C |
| Descrizione | FET ENGR DEV-NOT REL |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.390 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 2 - giu 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDMS003N08C Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMS003N08C |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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FDMS003N08C Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 147A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 56A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 310µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5350pF @ 40V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2005pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-Power33 (3x3) Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
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