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FDMC8321L

FDMC8321L

Solo per riferimento

Numero parte FDMC8321L
PNEDA Part # FDMC8321L
Descrizione MOSFET N-CH 40V 22A 8-PQFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 53.664
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMC8321L Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMC8321L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMC8321L, FDMC8321L Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 366,83 KB)
PDFFDMC8321L Datasheet Copertura
FDMC8321L Datasheet Pagina 2 FDMC8321L Datasheet Pagina 3 FDMC8321L Datasheet Pagina 4 FDMC8321L Datasheet Pagina 5 FDMC8321L Datasheet Pagina 6 FDMC8321L Datasheet Pagina 7 FDMC8321L Datasheet Pagina 8 FDMC8321L Datasheet Pagina 9

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FDMC8321L Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C22A (Ta), 49A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3900pF @ 20V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePower33
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

FDMS86200DC

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Dual Cool™, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A (Ta), 28A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2955pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

Dual Cool™56

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

SN7002NL6433HTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 26µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STD3NM50T4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

550V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

46W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SIHP15N65E-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1640pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

34W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

SI1424EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Venduto di recente

CDSOD323-T24C

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Bourns

TVS DIODE 24V 56V SOD323

SMD050-2

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Littelfuse

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MC9S08LC36LK

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NXP

IC MCU 8BIT 36KB FLASH 80FQFP

2N3906BU

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TRANS PNP 40V 0.2A TO-92

MCP23017-E/SP

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IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SDIP

AD620ARZ

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IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SOIC

SI9706DY-T1-E3

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Vishay Siliconix

IC PCMCIA INTFACE SW 8SO

ADUM1401ARWZ

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Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

EN6347QI

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Intel

DC DC CONVERTER 0.6-6.24V

MAX238CWG

MAX238CWG

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IC TRANSCEIVER FULL 4/4 24SOIC

MCH3478-TL-W

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MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3

IHLP2020BZER1R0M01

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FIXED IND 1UH 7A 20 MOHM SMD