FDMC4435BZ-F126
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| Numero parte | FDMC4435BZ-F126 |
| PNEDA Part # | FDMC4435BZ-F126 |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 8.5A |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.336 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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FDMC4435BZ-F126 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMC4435BZ-F126 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
FDMC4435BZ-F126, FDMC4435BZ-F126 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 544,81 KB)
  
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FDMC4435BZ-F126 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Ta), 18A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2045pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 31W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
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