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FDMC15N06

FDMC15N06

Solo per riferimento

Numero parte FDMC15N06
PNEDA Part # FDMC15N06
Descrizione MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.880
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMC15N06 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMC15N06
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMC15N06, FDMC15N06 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 840,15 KB)
PDFFDMC15N06 Datasheet Copertura
FDMC15N06 Datasheet Pagina 2 FDMC15N06 Datasheet Pagina 3 FDMC15N06 Datasheet Pagina 4 FDMC15N06 Datasheet Pagina 5 FDMC15N06 Datasheet Pagina 6 FDMC15N06 Datasheet Pagina 7 FDMC15N06 Datasheet Pagina 8 FDMC15N06 Datasheet Pagina 9 FDMC15N06 Datasheet Pagina 10

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FDMC15N06 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.4A (Ta), 15A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-MLP (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

65V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59.6nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4170pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

171W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK-7

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

FQB8N90CTM

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 3.15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2080pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

171W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVMFS5C468NLWFT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

NTHD5904NT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 16V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

640mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ChipFET™

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

SQS405ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2650pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

39W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8

Venduto di recente

JS28F128J3F75A

JS28F128J3F75A

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

MAX6817EUT+T

MAX6817EUT+T

Maxim Integrated

IC DEBOUNCER SWITCH DUAL SOT23-6

2920L050DR

2920L050DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 60V 500MA 2920

AD820ARZ

AD820ARZ

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IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC

DS1216C

DS1216C

Maxim Integrated

IC SMART/RAM 5V 64K/256K 28-DIP

IRF9321TRPBF

IRF9321TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC

IS25CQ032-JBLE

IS25CQ032-JBLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC

NCP2820FCT1G

NCP2820FCT1G

ON Semiconductor

IC AMP AUDIO D 2.65W 9-FLIPCHIP

IRF630NPBF

IRF630NPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

BCP53-16T1G

BCP53-16T1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223

PBSS5250X,115

PBSS5250X,115

Nexperia

TRANS PNP 50V 2A SOT89

XC2C256-7VQG100I

XC2C256-7VQG100I

Xilinx

IC CPLD 256MC 6.7NS 100VQFP