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FDMA8878

FDMA8878

Solo per riferimento

Numero parte FDMA8878
PNEDA Part # FDMA8878
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 29.010
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Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMA8878 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMA8878
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDMA8878, FDMA8878 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 500,45 KB)
PDFFDMA8878 Datasheet Copertura
FDMA8878 Datasheet Pagina 2 FDMA8878 Datasheet Pagina 3 FDMA8878 Datasheet Pagina 4 FDMA8878 Datasheet Pagina 5

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FDMA8878 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Ta), 10A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds720pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.4W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-MicroFET (2x2)
Pacchetto / Custodia6-VDFN Exposed Pad

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IRF300P227

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

StrongIRFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4893pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

313W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

NX3008NBKMB,315

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

530mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DFN1006B-3

Pacchetto / Custodia

3-XFDFN

BSD816SNL6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.4A, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 3.7µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 2.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

IXTH52P10P

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

PolarP™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

52A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2845pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

NTR3A052PZT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.9nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1243pF @ 4V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

860mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23 (TO-236AB)

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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