FDMA86551L
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| Numero parte | FDMA86551L |
| PNEDA Part # | FDMA86551L |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 6-MLP |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 54.750 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDMA86551L Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDMA86551L |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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FDMA86551L Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1235pF @ 30V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
| Pacchetto / Custodia | 6-WDFN Exposed Pad |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 770mA (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 390mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223-4 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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