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FDG6318PZ

FDG6318PZ

Solo per riferimento

Numero parte FDG6318PZ
PNEDA Part # FDG6318PZ
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.120
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDG6318PZ Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDG6318PZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDG6318PZ, FDG6318PZ Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 279,99 KB)
PDFFDG6318PZ Datasheet Copertura
FDG6318PZ Datasheet Pagina 2 FDG6318PZ Datasheet Pagina 3 FDG6318PZ Datasheet Pagina 4 FDG6318PZ Datasheet Pagina 5 FDG6318PZ Datasheet Pagina 6 FDG6318PZ Datasheet Pagina 7 FDG6318PZ Datasheet Pagina 8 FDG6318PZ Datasheet Pagina 9 FDG6318PZ Datasheet Pagina 10 FDG6318PZ Datasheet Pagina 11

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FDG6318PZ Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs780mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.62nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds85.4pF @ 10V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88 (SC-70-6)

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

10mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 5V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

SSM6N35AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V

Potenza - Max

285mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.23nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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