FDD6782A
Solo per riferimento
Numero parte | FDD6782A |
PNEDA Part # | FDD6782A |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 20A DPAK |
Produttore | ON Semiconductor |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.024 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
FDD6782A Risorse
Brand | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | FDD6782A |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- FDD6782A Datasheet
- where to find FDD6782A
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor FDD6782A
- FDD6782A PDF Datasheet
- FDD6782A Stock
- FDD6782A Pinout
- Datasheet FDD6782A
- FDD6782A Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- FDD6782A Price
- FDD6782A Distributor
FDD6782A Specifiche
Produttore | ON Semiconductor |
Serie | PowerTrench® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 14.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1065pF @ 13V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 31W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252) |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
IXYS Produttore IXYS Serie CoolMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 800V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET Super Junction Dissipazione di potenza (max) 380W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC |
Toshiba Semiconductor and Storage Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSIV Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3110pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 93W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DPAK+ Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™ Tipo FET N-Channel Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Tensione Drain to Source (Vdss) 1.2kV Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V Rds On (Max) @ Id, Vgs 182mOhm @ 6A, 18V Vgs (th) (Max) @ Id 5.7V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 18V Vgs (massimo) +23V, -7V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 454pF @ 800V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO247-4-1 Pacchetto / Custodia TO-247-4 |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie SuperFET® III Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Power88 Pacchetto / Custodia 4-PowerTSFN |
Infineon Technologies Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3-1 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |