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FDC6020C_F077

FDC6020C_F077

Solo per riferimento

Numero parte FDC6020C_F077
PNEDA Part # FDC6020C_F077
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.258
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDC6020C_F077 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDC6020C_F077
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDC6020C_F077, FDC6020C_F077 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 211,51 KB)
PDFFDC6020C_F077 Datasheet Copertura
FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 2 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 3 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 4 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 5 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 6 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 7 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 8 FDC6020C_F077 Datasheet Pagina 9

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FDC6020C_F077 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.9A, 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds677pF @ 10V
Potenza - Max1.2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Pacchetto dispositivo fornitoreSuperSOT™-6 FLMP

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PDIP

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

17-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS-DIL™

IRF7104TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

913pF @ 15V

Potenza - Max

2.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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