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FDB8030L

FDB8030L

Solo per riferimento

Numero parte FDB8030L
PNEDA Part # FDB8030L
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.310
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDB8030L Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDB8030L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
FDB8030L, FDB8030L Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 282,44 KB)
PDFFDB8030L Datasheet Copertura
FDB8030L Datasheet Pagina 2 FDB8030L Datasheet Pagina 3 FDB8030L Datasheet Pagina 4 FDB8030L Datasheet Pagina 5

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FDB8030L Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170nC @ 5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10500pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)187W (Tc)
Temperatura di esercizio-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263AB
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

IXYS

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 (IXTH)

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

HUF75343G3

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

205nC @ 20V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

270W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

331pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

31.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Vgs (massimo)

+20V, -16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3595pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 6W (Tc)

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